collector-base breakdown voltage

collector-base breakdown voltage
collector-base breakdown voltage LE Kollektor-Basis-Durchbruchspannung f

English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics. 2013.

Игры ⚽ Нужно сделать НИР?

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… …   Wikipedia

  • ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Пробивное напряжение коллектор-база — 12. Пробивное напряжение коллектор база D. Kollektor Basis Durchbruchspannung E. Breakdown collector base voltage F. Tension de claquage collecteur base UКБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uкпр к UBR CBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… …   Справочник технического переводчика

  • Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — 106. Пробивное напряжение коллектор база фототранзистора D. Kollektor Basis Durch bruchspannung eines Phototransistors E. Collector base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur base de phototransistor Пробивное… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP …   Wikipedia

  • semiconductor device — ▪ electronics Introduction       electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… …   Universalium

  • ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Operational amplifier — A Signetics μa741 operational amplifier, one of the most successful op amps. An operational amplifier ( op amp ) is a DC coupled high gain electronic voltage amplifier with a differential input and, usually, a single ended output.[1] An op amp… …   Wikipedia

  • Differential amplifier — symbol The inverting and non inverting inputs are distinguished by − and + symbols (respectively) placed in the amplifier triangle. Vs+ and Vs− are the power supply voltages; they are often omitted from the diagram for simplicity, but of course… …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”